郑大《AFM》：水分诱导纳米晶体可逆固态，实现高级防伪！

X6八面本体连接的钙钛矿的严格定义）具备90%以上的极高PLQY和固有的反应性，非常适合用于鉴别度极高的粘贴几何上图形，容易过渡到致密的NCs基板，利于提极高粘贴几何上图形的像素，便于印刷。例如，Rogach等人。运用于Cs3Cu2I5的前置本体溶液作为红光水印，在紫外(UV)光下氢化粘贴几何上图形。遗憾的是，数基于Cs3Cu2I5透镜月份性的粘贴新科技在保护文件方面效果不佳，并且容易被复制。因此，任何对Cs3Cu2I5笔记本电脑闪烁月份性的新重新认识或见到都将对该领域产生多方面影响，并可能有利于推动其技术的发展创新。

上图 1. a) Blu-ray试射的Cs3Cu2I5NCs 的化学合成操控过程。b) TEM和c) Cs3Cu2I5NCs的HRTEM上图片。d) Cs3Cu2I5NCs 的规格分布。e) Cs3Cu2I5NCs的XRD上图谱。f) Cs3Cu2I5NCs的PL激发（PLE）和PL试射光谱线。g) Cs3Cu2I5NCs的时间分辨PL衰减曲线。

上图 2. a)一系列表明催化反应背离操控过程的剧照：渗入于湿气后（橙色试射逐渐变成橙色试射）；在空气之中湿气后（橙色试射逐渐变成橙色试射）。Cs3Cu2I5NCs基板在相异湿气处理时间（b）和相异湿气时间（e）下的PL光谱线仅仅只是彩上图。相异湿气处理时间（c）和相异湿气时间（f）下Blu-ray和黄光试射PL强度比例的比较。Cs3Cu2I5NCs基板在湿气处理操控过程(d)和湿气操控过程(g)之后的XRD几何上图形。

上图 3. a）Cs3Cu2I5和CsCu2I3通过加湿-湿气反转催化反应背离的示意上图。b) Cs3Cu2I5和CsCu2I3的过渡到能比较。c) Cs3Cu2I5和d) CsCu2I3NCs基板在月份10个加湿-湿气反转之中的PL强度（紫色）、相对于右边（橙色）和FWHM（橙色）的变化。e) Cs3Cu2I5@PMMA基板在去离子水之中倒入相异时间后在254 nm紫外线照射下的剧照。f) Cs3Cu2I5@PMMA耐水性示意上图。g) Cs3Cu2I5@PMMA基板浸泡去离子水之中5年内的PL光谱线的仅仅只是彩色上图。

上图 4. a) 丝网印刷示意上图。b) Cs3Cu2I5NCs在一个加湿-湿气反转之中墨水的海豚几何上图形的可恢复剧照。c) Cs3Cu2I5@PMMA在一个加湿-湿气反转之中墨水的熊猫几何上图形的剧照。比例尺为5毫米。

上图 5. a) Cs3Cu2I5和Cs3Cu2I5@PMMA粘贴几何上图形加解密示意上图。由Cs3Cu2I5和Cs3Cu2I5@PMMA石膏的b)“鳖”和c)“玫瑰”的解密和数字签名粘贴几何上图形的闪烁剧照。橙色几何上图形用Cs3Cu2I5@PMMA水印印刷，紫色几何上图形用Cs3Cu2I5水印印刷。确保安全示例（d）和二进位编码的浅蓝molecular数据存储芯片（e）的闪烁剧照。在二进位示例之中，橙色外圈都是“0”，橙色外圈都是“1”。比例尺为 5 毫米。

总之，作者急于地借助了Blu-ray试射Cs3Cu2I5和黄光试射CsCu2I3相互间以水为外部诱因的催化反应转化成，并广泛技术的发展极高水平的粘贴。试验中和理论模型得出结论，CsI在水之中的极高溶解度随之而来CsI从Cs3Cu2I5之中剥离，借助Cs3Cu2I5向CsCu2I3的背离，并且CsI也可以嵌入CsCu2I3之中，在水蒸发后过渡到牢固的Cs3Cu2I5。有趣的是，Cs3Cu2I5@PMMA复合物料经PMMA外皮后展现出借助于极佳的耐水性。水致双色Cs3Cu2I5和耐水Cs3Cu2I5@PMMA水印协同作用于粘贴接收者，借助多重数字签名效果，合理提极高接收者的确保安全性。湿气解密后，建构黄蓝试射的合理接收者可以快速鉴别。湿气蒸发后，几何上图形被数字签名为所有橙色试射的无效接收者。此外，粘贴几何上图形在重复数字签名/解密反转之中具备不俗的反应性。这项学术研究不数可以帮助我们较好地洞察三元硫化物铜Cs3Cu2I5和CsCu2I3，而且还为它们在极高级粘贴方面的技术的发展开辟了属于自己领域。（文：无计）

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