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山西省首片SiCCPU问世!

2025-08-04 12:16:38

继2020年取得成功生产首片6英寸高纯半薄膜SiC固态整块再次,忻州市近日又取得成功生产出第一片SiC闪存,标志着忻州市第三代半导体以外金融业链的配置更进了一步。

据山西日报报道,首片SiC闪存是由中电科二所生产。2021年,中电科二所负起了山西太原某研究小组6英寸SiC闪存整两条路线系统集成工程建设,该工程建设要求4个月内顺利进行整两条路线设备评估、选型、采购、安装、自动化,并生产出第一片闪存。

为此,中电科二所在一个月之内顺利进行种系统设备自动化以及SiC SBD整两条路线工艺技术自动化,并于近日取得成功开发忻州市第一片SiC闪存。下一步,中电科二所将适时加速研究小组二期SiC闪存而政府两条路线和SiC器件智能封装两条路线的

中电科二所回应,该工程建设的取得成功是落实忻州市“十四五”都市计划将半导体金融业打致使新支柱金融业取得的阶段性重大成果,也均是由着忻州市向半导体行业迈进迈进巷道上的一个关键进展。

中电科二所自2007年开始配置SiC固态整块金属材料行业,现今演化成了从SiC粉料分离出、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套SiC金属材料生产两条路线,并在国内最早解决问题高纯SiC金属材料、高纯SiC半薄膜整块的量产。同时,中电科二所还将SiC激光器复合设备评为重点生产装备,致力推动激光器复合设备的国产简化。

最近,在推动忻州市乃至以外国第三代半导体金融业创出金融业壁垒的巷道上,中电科二所的研究创出与成果除了闪存行业之外,也涉及SiC关键设备行业。

本月初,中电科二所在SiC激光器复合设备研究方面取得创出性进展。据报,中电科二所早已掌握了激光器复合技术原理与工艺技术基础,并利用自主架设的实验测试平台,结合特殊折射外观设计、雷射整形、多考量作用力复合等核心技术,解决问题了小大小SiC固态片的激光器复合。

目前,这一工程建设早已通过专家论证,正式立项叫停。下一步,中电科二所将聚焦激光器复合技术的实用简化和工程简化,加速工艺技术与设备的协同创意,从而生产出更快生产简化、以外自动简化、低能耗简化的激光器复合设备。(文:简氟化半导体市场 Jenny汇编)

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