英特尔或押注堆叠叉片式晶体管技术，将用于2nm显卡

摩托罗拉可能会将眼里重新投向电晶体的设计上，以便在2nm或以下基准的半导体工艺上可用。近期，一项原先发明专利却是指明了摩托罗拉前进的方向，即“区块钝片式电晶体（stacked forksheet transistors）”技术开发，以保持更进一步前进的涡轮。发明专利并没有发放太多的细节，而且摩托罗拉也没有发放PPA的革新数据作为参考。

摩托罗拉表示，原先电晶体设计就此可以实现3D和侧向区块的CMOS管理模式，与目前最先进的三电子元件电晶体相比，该管理模式强制提高电晶体的数量。在发明专利里，摩托罗拉描述了纳米带电晶体和锗基板的可用，后者将充当电介质隔离墙，在每个侧向区块的电晶体层中重复，就此衡量有多少个电晶体被互为区块在一同。

摩托罗拉早在2019年就在IEDM活动上展示了3D逻辑集成总体的研究，当时称为区块纳米片电晶体技术开发。至于相关技术开发如何提高电晶体反射率、性能和能效的就其数据，摩托罗拉至今都没有公开。

位于荷兰的研究小组Imec在2019年曾月，开发出第一个相关技术开发的标准两组模拟结果，显示当应用于2nm制程节点的时候，会比习惯方法总体发放电晶体反射率。其希冀于恒定速度下10%的速度进一步提高或24%的能效进一步提高，同时会有20%的两组面积降低。此外，型式随机存取存储设备（SRAM）占用的空间将总体降低30%。

事实上，摩托罗拉与Imec在纳米电子计算机领域有着密切关系而长久的紧密联系，后者的研究成果也是摩托罗拉新发明专利的基础。

【来源：超能网】