ESD对带电粒子元器件的损害

无论ESD直接对电弧电子电子器件等离子，还是对电弧电子电子器件间接等离子，皆能使电弧电子电子器件受到损害。既能造成了电子器件功能的突发功能性逮欲得，又能造成了电子器件功能的某种程度逮欲得。

1．突发功能性逮欲得

突发功能性逮欲得是指当电弧电子电子器件掩盖在ESD环境中的时，晶体管参数不太可能明显发生变化，它的功能不太可能丧逮。ESD不太可能造成了金属和凝固造成短路或者绝缘层穿透等，使电弧电子电子器件的晶体管遭到永久功能性的破坏。这类逮欲得可以在装载之前的成品测试中的检查出来。据有关资料统计分析说明，在受电弧烧伤的电弧电子电子器件中的，突发功能性逮欲得约占逮欲得数目 的 10%。

很强的带电粒子会导致MOS场畸变电子器件的栅氧化层被穿透，使电弧电子电子器件逮欲得。即便是游离无针孔的高欲得率氧化层, 也会在100 V的电弧电位下被穿透。对于有必要的晶体管，虽然 穿透电位不太可能髙于100 V,但危险电弧光的电位不太可能是几千伏，甚 至上万伏。因此，高压带电粒子的穿透畸变即使如此是MOS晶体管的正因如此 危害。另外，高压带电粒子也不太可能使多层布线晶体管间介质穿透或金属和 化电极间介质穿透，造成晶体管逮欲得。

2.某种程度逮欲得

某种程度逮欲得是指当电弧电子电子器件掩盖在ESD环境中的，不太可能造成了电弧电子电子器件功能性能的部分退化,但是暂时功能性不影响它起着应有的功能。然而，电弧电子电子器件的耐用性较长。这种烧伤具有累加功能性，随着所造成了的ESD山麓 冲次数的渐增，使电子器件的电弧烧伤电位阈值逐次降低，或使电子器件的 参数缓慢变坏。据资料统计分析说明:某种程度逮欲得占电弧电子电子器件ESD逮 欲得数目的90%。因此,电弧电子电子器件的某种程度逮欲得危害更大。 今天，大多数电弧电子电子器件采行对电弧非常引人注意的MOS工艺制作