手机不充电也能用一周？三星电子联合IBM推出新型芯片晶体管

近来，IBM和惠普出炉了一种属于自己集成电路显卡内部设计，自称这种内部设计可以延续摩尔定律。这一近期的架构将强制向下电位流出的真空管嵌入到显卡上，从而造成了更轻巧的设备，并为智能手机值得注意列车运行等先驱者了路面。

据悉，属于自己向下传输表征真空管（VTFET）内部设计旨在摒弃局限性最常用正因如此一些最高效率显卡的FinFET技术开发，从本质上讲，新内部设计将向下堆叠真空管，强制电位在真空管堆叠中所上下流出，而不是在此之前大多数显卡上采用的左右水平样式。

根据IBM的众说纷纭，这种属于自己向下结构强制在空间中所填充更多的真空管，同时还可以影响它们中间的接触点，以提高电位并照明系统。该公司指出，该内部设计可能会会使性能翻倍，或者增加85%的核能消耗。

IBM现在生产厂了带有这种属于自己VTFET架构的测试显卡，并设想它在许多领域扮演着忽略游戏规则的角色。随着物联网的有所发展，这些显卡可以让海洋美国海岸警卫队和自动驾驶汽车等设备以更少的核能列车运行，并可能会对加密货币挖矿等核能密集型数值过程造成了类似的影响，降低其碳足迹。

此外，根据IBM的众说纷纭，它还可以让太空更高效，甚至让智能手机电池在不充电的情况下采用一周而不是几天。

IBM该中所心混合寒和系统总裁Mukesh KhareClark说，“今天的技术开发通告是关于挑战传统，重新反思我们如何继续加速人际关系，并提供属于自己创新，以自力更生、业务和增加我们的环境影响。”

“考虑到该大型企业在此之前在多个多方面面临的约束，IBM和惠普正在展示我们在集成电路内部设计多方面的联合创属于自己重申，并携手追寻我们所说的‘硬技术开发’。”他足量说。